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當(dāng)影響電磁屏蔽機(jī)房屏蔽數(shù)據(jù)作用的因素頻率較高時(shí)，吸收丟失是首要的屏蔽機(jī)理，與輻射源是電場仍是磁場關(guān)系不大。當(dāng)頻率較低時(shí)，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效率的首要機(jī)理，應(yīng)盡量提高反射損耗。

電場波較易屏蔽，平面波次之，磁場波較難屏蔽，尤其是低頻磁場(1KHz以下)，較難屏蔽。關(guān)于低頻磁場，應(yīng)采用高導(dǎo)磁率數(shù)據(jù)進(jìn)行屏蔽。有幾個條件會影響屏蔽數(shù)據(jù)的作用，甚至高導(dǎo)電性數(shù)據(jù)和高導(dǎo)磁性數(shù)據(jù)的結(jié)合。

導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性數(shù)據(jù)越好，屏蔽效率越高，但金屬數(shù)據(jù)在實(shí)際應(yīng)用中不能考慮這兩個方面，例如銅的導(dǎo)電性很好，但導(dǎo)磁性很差;鐵的導(dǎo)磁性好，但導(dǎo)電性差。在具體屏蔽的基礎(chǔ)上，應(yīng)該運(yùn)用什么信息，首要取決于反射丟失仍是吸收丟失來決定是側(cè)重于導(dǎo)電性仍是導(dǎo)磁性。

反射損耗與屏蔽層與輻射源之間的距離有關(guān)。關(guān)于電場輻射源，距離越近，反射損耗越大;關(guān)于磁輻射源，距離越近，反射損耗越小。正確區(qū)分輻射源的性質(zhì)，確定輻射源應(yīng)接近屏蔽層是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的重要內(nèi)容，屏蔽層仍是屏蔽層的主體。