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1.靜電屏蔽

　　用完整的金屬屏蔽體將帶正電導(dǎo)體包圍起來(lái)，在屏蔽體的內(nèi)側(cè)將感應(yīng)出與帶電導(dǎo)體等量的負(fù)電荷，外側(cè)出現(xiàn)與帶電導(dǎo)體等量的正電荷，假如將金屬屏蔽體接地，則外側(cè)的正電荷將流入大地，外側(cè)將不會(huì)有電場(chǎng)存在，即帶正電導(dǎo)體的電場(chǎng)被屏蔽在金屬屏蔽體內(nèi)。

2.交變磁場(chǎng)屏蔽

　　交變磁場(chǎng)屏蔽有高頻和低頻之分。低頻磁場(chǎng)屏蔽是使用高磁導(dǎo)率的資料構(gòu)成低磁阻通路，使大部分磁場(chǎng)被會(huì)集在屏蔽體內(nèi)。屏蔽體的磁導(dǎo)率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場(chǎng)屏蔽的效果越好。當(dāng)然要與設(shè)備的重量相和諧。高頻磁場(chǎng)的屏蔽是使用高電導(dǎo)率的資料發(fā)生的渦流的反向磁場(chǎng)來(lái)抵消攪擾磁場(chǎng)而完成的。

3.交變電場(chǎng)屏蔽

　　為下降交變電場(chǎng)對(duì)靈敏電路的耦合攪擾電壓，能夠在攪擾源和靈敏電路之間設(shè)置導(dǎo)電性好的金屬屏蔽體，并將金屬屏蔽體接地。交變電場(chǎng)對(duì)靈敏電路的耦合攪擾電壓巨細(xì)取決于交變電場(chǎng)電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地電阻之積。只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地，能使交變電場(chǎng)對(duì)靈敏電路的耦合攪擾電壓變得很小。電場(chǎng)屏蔽以反射為主，因而屏蔽體的厚度不用過(guò)大，而以結(jié)構(gòu)強(qiáng)度為主要考慮要素。

4.交變電磁場(chǎng)屏蔽

　　一般選用電導(dǎo)率高的資料作屏蔽體，并將屏蔽體接地。它是使用屏蔽體在高頻磁場(chǎng)的效果下發(fā)生反方向的渦流磁場(chǎng)與原磁場(chǎng)抵消而削弱高頻磁場(chǎng)的攪擾，又因屏蔽體接地而完成電場(chǎng)屏蔽。屏蔽體的厚度不用過(guò)大，而以趨膚深度和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度為主要考慮要素。