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1.靜態(tài)屏蔽。用完整的金屬屏蔽包圍正導(dǎo)體，屏蔽內(nèi)側(cè)會(huì)感應(yīng)出與帶電導(dǎo)體相等的負(fù)電荷，外側(cè)會(huì)呈現(xiàn)與帶電導(dǎo)體相等的正電荷。如果金屬屏蔽層接地，外面的正電荷會(huì)流入大地，外面沒有電場了，也是有正極導(dǎo)體的電場會(huì)被屏蔽在金屬屏蔽層里。

2.交變電場屏蔽。為了下降交變電場對敏感電路的耦合攪擾電壓，能夠在攪擾源和敏感電路之間設(shè)置一個(gè)導(dǎo)電性好的金屬屏蔽，該金屬屏蔽能夠接地。交變電場對敏感電路的耦合攪擾電壓取決于交變電場電壓、耦合電容和金屬屏蔽的接地電阻的乘積。只要金屬屏蔽接地良好，能夠下降交變電場對敏感電路的耦合攪擾電壓。電場首要是反射，所以屏蔽體的厚度不用太大，但首要考慮結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

3.屏蔽機(jī)房：交變磁場屏蔽。交變磁場屏蔽可分為高頻和低頻，低頻磁場屏蔽是使用高磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成低磁阻通路，使大部分磁場集中在屏蔽體內(nèi)。磁導(dǎo)率越高，屏蔽體的厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽效果越好。當(dāng)然要和設(shè)備分量協(xié)調(diào)。高頻磁場的屏蔽是使用高導(dǎo)材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場抵消攪擾磁場來完成的。

4.屏蔽機(jī)房：交變電磁場。一般用導(dǎo)電性高的材料做屏蔽，屏蔽接地，它使用屏蔽體在高頻磁場的效果下產(chǎn)生相反方向的渦流磁場來抵消原磁場，以削弱高頻磁場的攪擾，并由于屏蔽體接地而完成電場屏蔽，屏蔽的厚度不需要太大，可是趨膚深度和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度是首要考慮要素。